气相沉积尾气处理方法
根据活化方式不同 ,可分为热CVD、等离子体增强CVD(PECVD) 、光CVD等不同工艺类型,腔室压力、温度、活化功率等参数直接决定薄膜的厚度 、致密度与性能。
未反应的前驱体被尾气处理系统收集 。 关键影响因素 反应温度:常规CVD工艺温度多在800~1200℃,温度过低会导致反应速率慢、涂层疏松 ,温度过高则会引发气相均相成核,产生大量粉末状副产物。
后处理:随炉冷却至室温后取出块状粗品,经破碎、球磨得到硒化锌粉体。该方法设备投入低 、量产门槛低 ,但产物纯度通常在98%左右,颗粒均匀性较差,多用于低端红外光学元件粗坯制备 。操作时需避免粉尘吸入,烧结过程需确保炉体密封性 ,防止锌硒蒸气泄漏。
多数工业级CVD设备会搭配尾气处理系统,对有害废气进行燃烧、吸附或中和处理,避免污染环境。


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